AP13268877 Разработка технологии изготовления радиационно-стойких электронных компонентов искусственных спутников Земли

Научный руководитель: Алмасов Нурлан Жумабекович

Наименование конкурса: МНВО РК, Грантовое финансирование молодых ученых по проекту «Жас ғалым» на 2022-2024 годы (32 месяца).

Разработать технологию изготовления устройств энегонезависимой памяти типа PCRAМ на основе халькогенидного стеклообразношо полупроводника Ge2Sb2Te5 посредством выявление зависимостей параметров эффекта переключения в этих материалах от локальной структуры и внешних воздействий, используя компьютерное моделирования в средах DFT и AIMD, а также реализия модели технологически посредством эпитаксиального роста.

— Разработка компьютерной модели локальной атомной структуры и межфазных преобразований в системе Ge2Sb2Te5;

— отработатка технологии получения эпитаксиальных слоев Ge2Sb2Te5 методом импульсного лазерного осаждения;

— изучение состава и структуры плёнок Ge2Sb2Te5 методами ПЭМ, СЭМ, АСМ, Рамановской спектроскопии;

— исследования оптических и электрических свойств плёнок Ge2Sb2Te5, определение их электронных параметров;

— исследования эффекта переключения в тонких плёнках Ge2Sb2Te5;

— изготовление прототипа PCRAM на основе тонких эпитаксиальных пленок Ge2Sb2Te5.

Будут определены структурные параметры стабильной и метастабильной фазы Ge2Sb2Te5; будут измерены проводимость, вольтамперные характеристики (BAX) кристаллической и аморфной фазы GST. Будет опубликована 1(одна) статья в рецензируемом зарубежном или отечественном издании, рекомендованном KOKCOH МОН PK. Будут определены параметры процесса импульсного лазерного осаждения, обеспечивающие рост эпитаксиальных слоев Ge2Sb2Te5. Будет изучена атомная структура эпитаксиальных слоев Ge2Sb2Te5. Будут определены электронные параметры эпитаксиальных слоев Ge2Sb2Te5; Будет получен патент или авторское свидетельство Республики Казахстан; Будет опубликована 1(одна) статья в рецензируемом научном издании по научному направлению проекта, индексируемых в Science Citation Index Expanded базы Web of Science и (или) имеющих процентиль по CiteScore в базе Scopus не менее 35 (тридцати пяти). Будет опубликована 1(одна) статья в отечественном издании, рекомендованном KOKCOH МОН PK. Будут определены параметры переключения эпитаксиальных слоев Ge2Sb2Te5. Будет опубликована 1(одна) статья в рецензируемом научном издании по научному направлению проекта, индексируемых в Science Citation Index Expanded базы Web of Science и (или) имеющих процентиль по CiteScore в базе Scopus не менее 35 (тридцати пяти).

Раздел календарного плана: № 1.

Разработка компьютерной модели локальной атомной структуры и межфазных преобразований в системе Ge2Sb2Te5:

Ab-initio DFT расчеты с использованием VIENNA AB INITIO SIMULATION(VASP);

ab initio молекулярно-динамические (AIMD) расчеты транспортных свойств сверхтонких пленок GST в метастабильной кубической и аморфной фазах.

Алмасов Нурлан Жумабекович, жоба жетекшісі, PhD, h-index 2, author ID Scopus https://orcid.org/0000-0003-2183-3389

View this author’s ORCID profile