AP13268877 Жердің жасанды спутниктерінің радиацияға төзімді электрондық компоненттерін өндіру технологиясын әзірлеу

Ғылыми жетекші: Алмасов Нурлан Жумабекович

Байқаудың атауы: ҚР ҒЖБМ, 2022-2024 жылдарға арналған «Жас Ғалым» жобасы

бойынша жас ғалымдарды гранттық қаржыландыру (32 ай).

Халькогенидті шыны тәрізді жартылай өткізгіш Ge2Sb2Te5 негізінде PCRAM типті тұрақты жады құрылғыларын өндіру технологиясын әзірлеу осы материалдардағы коммутациялық әсер параметрлерінің жергілікті құрылымға және сыртқы әсерлерге тәуелділігін анықтау, DFT және AIMD орталарында компьютерлік модельдеуді қолдану, сонымен қатар эпитаксиалды қабат өсу арқылы модельді технологиялық жүзеге асыру.

— Ge2Sb2Te5 жүйесіндегі жергілікті атом құрылымы мен фазааралық түрлендірулердің компьютерлік моделін жасау;

— импульстік лазермен тұндыру арқылы Ge2Sb2Te5 эпитаксиалды қабаттарын алу технологиясын жетілдіру;

— Ge2Sb2Te5 қабықшаларының құрамы мен құрылымын TEM, SEM, AFM, Raman спектроскопиясы арқылы зерттеу;

— Ge2Sb2Te5 қабықшаларының оптикалық және электрлік қасиеттерін зерттеу, олардың электрондық параметрлерін анықтау;

— жұқа Ge2Sb2Te5 қабықшаларындағы коммутациялық әсерді зерттеу;

— Ge2Sb2Te5 жұқа эпитаксиалды қабықшалар негізінде PCRAM прототипін жасау.

Тұрақты және метатұрақты Ge2Sb2Te5 фазаларының құрылымдық параметрлері анықталады; өткізгіштік, ток-кернеу сипаттамалары (BAX) өлшенетін болады

кристалдық және аморфты GST фазасы. 1 (бір) мақала Қазақстан Республикасы Білім және ғылым министрлігінің Білім және ғылым саласындағы бақылау комитетінің ұсынған рецензияланатын шетелдік немесе отандық журналда жарияланады. Процесс параметрлері анықталады Ge2Sb2Te5 эпитаксиалды қабаттарының өсуін қамтамасыз ететін импульстік лазерлік тұндыру. Ge2Sb2Te5 эпитаксиалды қабаттарының атомдық құрылымы зерттеледі. Ge2Sb2Te5 эпитаксиалды қабаттарының электрондық параметрлері анықталады; Қазақстан Республикасының патенті немесе авторлық куәлігі алынады; 1 (бір) мақала Web of Science дерекқорының Expanded Science Citation Index индексінде және (немесе) Scopus деректер базасында CiteScore пайызтиліне ие, жобаның ғылыми бағыты бойынша рецензияланған ғылыми басылымда жарияланады, пайызы кем дегенде 35 (отыз бес). 1 (бір) мақала Қазақстан Республикасы Білім және ғылым министрлігінің Білім және ғылым саласындағы бақылау комитетінің ұсынған отандық басылымда жарияланады. Ge2Sb2Te5 эпитаксиалды қабаттарының ауысу параметрлері анықталады. 1 (бір) мақала Web of Science дерекқорының Expanded Science Citation Index индексінде және (немесе) Scopus деректер базасында CiteScore пайызтиліне ие, жобаның ғылыми бағыты бойынша рецензияланған ғылыми басылымда жарияланады, пайызы кем дегенде 35 (отыз бес).

Алмасов Нурлан Жумабекович, жоба жетекшісі, PhD, h-index 2, author ID Scopus https://orcid.org/0000-0003-2183-3389

View this author’s ORCID profile