AP13268877 «Жердің жасанды серіктеріне арналған радиацияға төзімді электрондық компоненттерді өндіру технологиясын әзірлеу»
Ғылыми жетекші: Алмасов Нурлан Жумабекович
Конкурс атауы: ҚР Ғылым және жоғары білім министрлігі, «Жас ғалым» жобасы бойынша жас ғалымдарды гранттық қаржыландыру бағдарламасы, 2022–2024 жж. (32 ай)
Конкурс атауы: ҚР Ғылым және жоғары білім министрлігі, «Жас ғалым» жобасы бойынша жас ғалымдарды гранттық қаржыландыру бағдарламасы, 2022–2024 жж. (32 ай)
Жоба мақсаты
Ge₂Sb₂Te₅ халькогенидті шынытәрізді жартылай өткізгіш негізінде PCRAM типті энергияға тәуелсіз жад құрылғыларын өндіру технологиясын әзірлеу. Бұл үшін осы материалдардағы ауысу эффектісі параметрлерінің жергілікті құрылым мен сыртқы әсерлерге тәуелділіктерін анықтау, DFT және AIMD орталарында компьютерлік модельдеу жүргізу, сондай-ақ эпитаксиялық өсу арқылы технологиялық модельді жүзеге асыру көзделеді.
Жоба міндеттері
— Ge₂Sb₂Te₅ жүйесіндегі жергілікті атомдық құрылым мен фазалық түрленулердің компьютерлік моделін әзірлеу;
— Импульстік лазерлік тұндыру әдісі арқылы Ge₂Sb₂Te₅ эпитаксиялық қабаттарын алу технологиясын жетілдіру;
— Ge₂Sb₂Te₅ қабықшаларының құрамын және құрылымын ПЭМ, СЭМ, АСМ және Раман спектроскопиясы әдістерімен зерттеу;
— Ge₂Sb₂Te₅ қабықшаларының оптикалық және электрлік қасиеттерін зерттеу және олардың электрондық параметрлерін анықтау;
— Ge₂Sb₂Te₅ жұқа қабықшаларындағы ауысу эффектісін зерттеу;
— Ge₂Sb₂Te₅ жұқа эпитаксиялық қабықшалары негізінде PCRAM прототипін дайындау.
— Импульстік лазерлік тұндыру әдісі арқылы Ge₂Sb₂Te₅ эпитаксиялық қабаттарын алу технологиясын жетілдіру;
— Ge₂Sb₂Te₅ қабықшаларының құрамын және құрылымын ПЭМ, СЭМ, АСМ және Раман спектроскопиясы әдістерімен зерттеу;
— Ge₂Sb₂Te₅ қабықшаларының оптикалық және электрлік қасиеттерін зерттеу және олардың электрондық параметрлерін анықтау;
— Ge₂Sb₂Te₅ жұқа қабықшаларындағы ауысу эффектісін зерттеу;
— Ge₂Sb₂Te₅ жұқа эпитаксиялық қабықшалары негізінде PCRAM прототипін дайындау.
Күтілетін нәтижелер
Ge₂Sb₂Te₅ тұрақты және метатұрақты фазаларының құрылымдық параметрлері анықталады. GST кристалдық және аморфты фазаларының электр өткізгіштігі мен вольтамперлік сипаттамалары өлшенеді. ҚР ҒЖБМ Ғылым комитеті ұсынған отандық немесе шетелдік рецензияланатын журналда 1 мақала жарияланады.
Импульстік лазерлік тұндыру процесінің эпитаксиялық Ge₂Sb₂Te₅ қабаттарының өсуін қамтамасыз ететін параметрлері анықталады. Эпитаксиялық қабаттардың атомдық құрылымы зерттеледі. Олардың электрондық параметрлері анықталады. Қазақстан Республикасының патенті немесе авторлық куәлігі алынады.
Жоба бағыты бойынша Web of Science (Science Citation Index Expanded) базасында индекстелетін және/немесе Scopus базасында CiteScore көрсеткіші 35-тен кем емес ғылыми журналда 1 мақала жарияланады. Сонымен қатар ҚР ҒЖБМ Ғылым комитеті ұсынған отандық журналда 1 мақала жарияланады. Ge₂Sb₂Te₅ эпитаксиялық қабаттарының ауысу параметрлері анықталады. Тағы бір мақала Web of Science және/немесе Scopus (percentile ≥ 35) базаларында индекстелетін журналда жарияланады.
Импульстік лазерлік тұндыру процесінің эпитаксиялық Ge₂Sb₂Te₅ қабаттарының өсуін қамтамасыз ететін параметрлері анықталады. Эпитаксиялық қабаттардың атомдық құрылымы зерттеледі. Олардың электрондық параметрлері анықталады. Қазақстан Республикасының патенті немесе авторлық куәлігі алынады.
Жоба бағыты бойынша Web of Science (Science Citation Index Expanded) базасында индекстелетін және/немесе Scopus базасында CiteScore көрсеткіші 35-тен кем емес ғылыми журналда 1 мақала жарияланады. Сонымен қатар ҚР ҒЖБМ Ғылым комитеті ұсынған отандық журналда 1 мақала жарияланады. Ge₂Sb₂Te₅ эпитаксиялық қабаттарының ауысу параметрлері анықталады. Тағы бір мақала Web of Science және/немесе Scopus (percentile ≥ 35) базаларында индекстелетін журналда жарияланады.
Жобаны іске асыру кезеңдері
Күнтізбелік жоспар бөлімі: № 1
Ge₂Sb₂Te₅ жүйесіндегі жергілікті атомдық құрылым мен фазалық түрленулердің компьютерлік моделін әзірлеу:
— VIENNA AB INITIO SIMULATION (VASP) бағдарламасын пайдаланып ab initio DFT есептеулері;
— Метатұрақты кубтық және аморфты фазалардағы ультражұқа GST қабықшаларының тасымалдау қасиеттерін ab initio молекулалық-динамикалық (AIMD) есептеулер арқылы зерттеу.
Ge₂Sb₂Te₅ жүйесіндегі жергілікті атомдық құрылым мен фазалық түрленулердің компьютерлік моделін әзірлеу:
— VIENNA AB INITIO SIMULATION (VASP) бағдарламасын пайдаланып ab initio DFT есептеулері;
— Метатұрақты кубтық және аморфты фазалардағы ультражұқа GST қабықшаларының тасымалдау қасиеттерін ab initio молекулалық-динамикалық (AIMD) есептеулер арқылы зерттеу.
Зерттеу тобы
Алмасов Нурлан Жумабекович, жоба жетекшісі, PhD, h-index: 2, Scopus Author ID / ORCID: https://orcid.org/0000-0003-2183-3389
Автордың ORCID профилін қарау
Автордың ORCID профилін қарау